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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTT82N25P

IXTT82N25P

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Numero de parte
IXTT82N25P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXTT82N25P.pdf
Total:$7.40000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$7.40000

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Numero de parte
IXTT82N25P
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 250V 82A TO-268
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
82A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 41A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
142nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4800pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-268
Paquete / Caja
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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