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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSF083N03LQ G

BSF083N03LQ G

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Numero de parte
BSF083N03LQ G
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
BSF083N03LQ G
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 53A MG-WDSON-2
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
13A (Ta), 53A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1800pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.2W (Ta), 36W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja
3-WDSON

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