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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXTQ48N20T

IXTQ48N20T

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Numero de parte
IXTQ48N20T
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$2.65500
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$2.65500

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Numero de parte
IXTQ48N20T
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
48A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3090pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3

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