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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NVMFS5H663NLT1G

NVMFS5H663NLT1G

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Numero de parte
NVMFS5H663NLT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
T8 60V LOW COSS
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.52140
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$0.52140

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Numero de parte
NVMFS5H663NLT1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
T8 60V LOW COSS
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
16.2A (Ta), 67A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 56µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1131pF @ 30V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
3.7W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN, 5 Leads

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