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DB105G

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Numero de parte
DB105G
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descripción
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DB105G.pdf
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Numero de parte
DB105G
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descripción
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB
Estado de la pieza
Active
Tipo de diodo
Single Phase
Tecnología
Standard
Voltaje: pico inverso (máximo)
600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
1A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
1.1V @ 1A
Corriente - Fuga inversa @ Vr
10µA @ 600V
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Paquete del dispositivo del proveedor
DB

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