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S10JC V6G

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Numero de parte
S10JC V6G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
S10JC V6G.pdf
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Numero de parte
S10JC V6G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB
Estado de la pieza
Active
Tipo de diodo
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.)
600V
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
10A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si
-
Velocidad
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr)
-
Corriente - Fuga inversa @ Vr
1µA @ 600V
Capacitancia a Vr, F
60pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
DO-214AB, SMC
Paquete del dispositivo del proveedor
DO-214AB (SMC)
Temperatura de funcionamiento - Unión
-55°C ~ 150°C

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