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FDG6308P

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Numero de parte
FDG6308P
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDG6308P.pdf
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Numero de parte
FDG6308P
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
600mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
153pF @ 10V
Potencia - max
300mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-88 (SC-70-6)

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