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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single CSD18511KCS

CSD18511KCS

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Numero de parte
CSD18511KCS
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
NEW LF VERSION OF CSD18502KCS
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD18511KCS.pdf
Total:$1.75000
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$1.75000

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Numero de parte
CSD18511KCS
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
NEW LF VERSION OF CSD18502KCS
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
194A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
64nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5940pF @ 20V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
188W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

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