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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TK40S10K3Z(T6L1,NQ

TK40S10K3Z(T6L1,NQ

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Numero de parte
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
TK40S10K3Z(T6L1,NQ
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 100V 40A DPAK-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
40A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3110pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
93W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK+
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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