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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRFIBF20GPBF

IRFIBF20GPBF

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Numero de parte
IRFIBF20GPBF
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRFIBF20GPBF.pdf
Total:$3.49000
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$3.49000

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Numero de parte
IRFIBF20GPBF
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8 Ohm @ 720mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
490pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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