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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDN308P

FDN308P

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Numero de parte
FDN308P
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDN308P.pdf
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Numero de parte
FDN308P
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 1.5A SSOT-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.4nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
341pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SuperSOT-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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