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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FCP190N65S3

FCP190N65S3

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Numero de parte
FCP190N65S3
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$2.83000
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$2.83000

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Numero de parte
FCP190N65S3
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
17A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.7mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1350pF @ 400V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
144W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3

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