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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single NDB6030PL

NDB6030PL

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Numero de parte
NDB6030PL
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NDB6030PL.pdf
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Numero de parte
NDB6030PL
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 5V
Vgs (Max)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1570pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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