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FQT1N80TF-WS

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Numero de parte
FQT1N80TF-WS
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.46493
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Numero de parte
FQT1N80TF-WS
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
800V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
200mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.2nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
195pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
SOT-223-3
Paquete / Caja
TO-261-3

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