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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single PHX18NQ20T,127

PHX18NQ20T,127

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Numero de parte
PHX18NQ20T,127
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
PHX18NQ20T,127
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 200V 8.2A TO220F
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8.2A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1850pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220F
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

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