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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TN0110N3-G-P002

TN0110N3-G-P002

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Numero de parte
TN0110N3-G-P002
Fabricante
Microchip Technology
Descripción
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
TN0110N3-G-P002
Fabricante
Microchip Technology
Descripción
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
350mA (Tj)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 500µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
60pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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