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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single AON2707

AON2707

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Numero de parte
AON2707
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET P-CH 30V 4A DFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AON2707.pdf
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Numero de parte
AON2707
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET P-CH 30V 4A DFN
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
117 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (Max)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
305pF @ 15V
Característica FET
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)
2.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
6-DFN-EP (2x2)
Paquete / Caja
6-WDFN Exposed Pad

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