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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos QS8M12TCR

QS8M12TCR

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Numero de parte
QS8M12TCR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
QS8M12TCR.pdf
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Numero de parte
QS8M12TCR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N and P-Channel
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
3.4nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
250pF @ 10V
Potencia - max
1.5W
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT8

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