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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPB200N25N3GATMA1

IPB200N25N3GATMA1

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Numero de parte
IPB200N25N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPB200N25N3GATMA1.pdf
Total:$3.85328
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$3.85328

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Numero de parte
IPB200N25N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
250V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
64A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
7100pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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