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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IXFH80N65X2

IXFH80N65X2

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Numero de parte
IXFH80N65X2
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IXFH80N65X2.pdf
Total:$11.10000
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$11.10000

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Numero de parte
IXFH80N65X2
Fabricante
IXYS Corporation
Descripción
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8245pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
890W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3

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