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SI3900DV-T1-GE3

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Numero de parte
SI3900DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SI3900DV-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SI3900DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Potencia - max
830mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paquete del dispositivo del proveedor
6-TSOP

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