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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRF6668TRPBF

IRF6668TRPBF

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Numero de parte
IRF6668TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRF6668TRPBF.pdf
Total:$0.73931
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$0.73931

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Numero de parte
IRF6668TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
55A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1320pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja
DirectFET™ Isometric MZ

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