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SIJ186DP-T1-GE3

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Numero de parte
SIJ186DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
SIJ186DP-T1-GE3.pdf
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Numero de parte
SIJ186DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descripción
MOSFET N-CH 60V PPAK SO-8L
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
23A (Ta), 79.4A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.6V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1710pF @ 30V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
5W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8

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