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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single 2SK3906(Q)

2SK3906(Q)

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Numero de parte
2SK3906(Q)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
2SK3906(Q).pdf
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Numero de parte
2SK3906(Q)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
20A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4250pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3P(N)
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3

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