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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IRLR3410PBF

IRLR3410PBF

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Numero de parte
IRLR3410PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IRLR3410PBF.pdf
Total:$1.21000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$1.21000

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Numero de parte
IRLR3410PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Estado de la pieza
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
17A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 5V
Vgs (Max)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
800pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
79W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
D-Pak
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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