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PMV16UN,215

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Numero de parte
PMV16UN,215
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
PMV16UN,215
Fabricante
NXP Semiconductors
Descripción
MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
5.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
670pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
510mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-236AB (SOT23)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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