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DMN2011UFX-7

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Numero de parte
DMN2011UFX-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
DMN2011UFX-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
12.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2248pF @ 10V
Potencia - max
2.1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
4-VFDFN Exposed Pad
Paquete del dispositivo del proveedor
V-DFN2050-4

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