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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPI60R165CPAKSA1

IPI60R165CPAKSA1

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Numero de parte
IPI60R165CPAKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPI60R165CPAKSA1.pdf
Total:$2.68458
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$2.68458

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Numero de parte
IPI60R165CPAKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 21A TO-262
Estado de la pieza
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
21A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 790µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2000pF @ 100V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
192W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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