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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FDS3512

FDS3512

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Numero de parte
FDS3512
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$1.00505
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$1.00505

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Numero de parte
FDS3512
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
634pF @ 40V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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