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TSM061NA03CV RGG

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Numero de parte
TSM061NA03CV RGG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
TSM061NA03CV RGG.pdf
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Numero de parte
TSM061NA03CV RGG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
66A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
19.3nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1136pF @ 15V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
44.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PDFN (3x3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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