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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TK62N60W,S1VF

TK62N60W,S1VF

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Numero de parte
TK62N60W,S1VF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$14.87000
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$14.87000

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Numero de parte
TK62N60W,S1VF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
61.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 30.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 3.1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
6500pF @ 300V
Característica FET
Super Junction
Disipación de potencia (max)
400W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-247
Paquete / Caja
TO-247-3

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