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STLD125N4F6AG

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Numero de parte
STLD125N4F6AG
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
STLD125N4F6AG.pdf
Total:$1.18088
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$1.18088

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Numero de parte
STLD125N4F6AG
Fabricante
STMicroelectronics
Descripción
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
91nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
5600pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

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