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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13

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Numero de parte
DMTH6004SCTB-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMTH6004SCTB-13.pdf
Total:$1.42928
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$1.42928

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Numero de parte
DMTH6004SCTB-13
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
100A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
95.4nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4556pF @ 30V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
4.7W (Ta), 136W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-263AB
Paquete / Caja
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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