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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single DMP1012UCB9-7

DMP1012UCB9-7

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Numero de parte
DMP1012UCB9-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET P-CH 8V 10A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMP1012UCB9-7.pdf
Total:$0.35541
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$0.35541

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Numero de parte
DMP1012UCB9-7
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET P-CH 8V 10A
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
8V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
10A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
-6V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1060pF @ 4V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
890mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
U-WLB1515-9
Paquete / Caja
9-UFBGA, WLBGA

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