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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPD048N06L3GBTMA1

IPD048N06L3GBTMA1

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Numero de parte
IPD048N06L3GBTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPD048N06L3GBTMA1.pdf
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Numero de parte
IPD048N06L3GBTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
90A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 58µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
8400pF @ 30V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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