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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single AOWF412

AOWF412

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Numero de parte
AOWF412
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
AOWF412.pdf
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$1.02000

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Numero de parte
AOWF412
Fabricante
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
7.8A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vgs (Max)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
3220pF @ 50V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.1W (Ta), 33W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
-
Paquete / Caja
TO-262-3 Full Pack, I²Pak

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