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IPD26N06S2L35ATMA2

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Numero de parte
IPD26N06S2L35ATMA2
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPD26N06S2L35ATMA2.pdf
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Numero de parte
IPD26N06S2L35ATMA2
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 26µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
621pF @ 25V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO252-3-11
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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