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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single RUR040N02TL

RUR040N02TL

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Numero de parte
RUR040N02TL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
RUR040N02TL.pdf
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Numero de parte
RUR040N02TL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
680pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT3
Paquete / Caja
SC-96

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