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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos FDMS8090

FDMS8090

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Numero de parte
FDMS8090
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
FDMS8090.pdf
Total:$1.53615
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$1.53615

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Numero de parte
FDMS8090
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET 2N-CH 100V 10A PWR56
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1800pF @ 50V
Potencia - max
2.2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerWDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
8-MLP (5x6), Power56

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