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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPB011N04NGATMA1

IPB011N04NGATMA1

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Numero de parte
IPB011N04NGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPB011N04NGATMA1.pdf
Total:$1.57850
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$1.57850

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Numero de parte
IPB011N04NGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 200µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
250nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
20000pF @ 20V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO263-7-3
Paquete / Caja
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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