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IPG20N06S4L11ATMA1

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Numero de parte
IPG20N06S4L11ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPG20N06S4L11ATMA1.pdf
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Numero de parte
IPG20N06S4L11ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 28µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
53nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4020pF @ 25V
Potencia - max
65W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TDSON-8-4

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