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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPL60R185P7AUMA1

IPL60R185P7AUMA1

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Numero de parte
IPL60R185P7AUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
IPL60R185P7AUMA1.pdf
Total:$1.47000
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$1.47000

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Numero de parte
IPL60R185P7AUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 650V 19A VSON-4
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1081pF @ 400V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
81W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-VSON-4
Paquete / Caja
4-PowerTSFN

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