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CSD86330Q3D

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Numero de parte
CSD86330Q3D
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
CSD86330Q3D.pdf
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Numero de parte
CSD86330Q3D
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
920pF @ 12.5V
Potencia - max
6W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerLDFN
Paquete del dispositivo del proveedor
8-LSON (3.3x3.3)

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