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TPS1100DG4

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Numero de parte
TPS1100DG4
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
TPS1100DG4.pdf
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Numero de parte
TPS1100DG4
Fabricante
Texas Instruments
Descripción
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
15V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
1.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
2.7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
5.45nC @ 10V
Vgs (Max)
+2V, -15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
-
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
791mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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