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DMN2990UFZ-7B

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Numero de parte
DMN2990UFZ-7B
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DMN2990UFZ-7B.pdf
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Numero de parte
DMN2990UFZ-7B
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
250mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
0.5nC @ 4.5V
Vgs (Max)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
55.2pF @ 16V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
320mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
X2-DFN0606-3
Paquete / Caja
3-XFDFN

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