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IRF8915TR

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Numero de parte
IRF8915TR
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Numero de parte
IRF8915TR
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8-SOIC
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Característica FET
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
8.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.3 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
540pF @ 10V
Potencia - max
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SO

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