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2SK3430-Z-E1-AZ

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Numero de parte
2SK3430-Z-E1-AZ
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
2SK3430-Z-E1-AZ.pdf
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Numero de parte
2SK3430-Z-E1-AZ
Fabricante
Renesas Electronics America
Descripción
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
2800pF @ 10V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.5W (Ta), 84W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3

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