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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single 2SJ661-1E

2SJ661-1E

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Numero de parte
2SJ661-1E
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 60V 38A
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$2.36000
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(En dólares estadounidenses)		 1pcs
$2.36000

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Numero de parte
2SJ661-1E
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET P-CH 60V 38A
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
38A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vgs (Max)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
4360pF @ 20V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-262-3
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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