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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single 2SK4125-1EX

2SK4125-1EX

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Numero de parte
2SK4125-1EX
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Numero de parte
2SK4125-1EX
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 600V 17A TO3P
Estado de la pieza
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
17A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
610 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
46nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
1200pF @ 30V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
2.5W (Ta), 170W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TA)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3P-3L
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3

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