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Hogar Productos Productos semiconductores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single TK11P65W,RQ

TK11P65W,RQ

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Numero de parte
TK11P65W,RQ
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
Estado sin plomo / estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Total:$0.82320
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$0.82320

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Numero de parte
TK11P65W,RQ
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
MOSFET N-CH 650V 11.1A DPAK-0S
Estado de la pieza
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)
650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C
11.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 450µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (Max)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds
890pF @ 300V
Característica FET
-
Disipación de potencia (max)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor
DPAK
Paquete / Caja
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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